L’oïdium (Erysiphe polygoni DC.; syn. E. pisi DC.) du pois (Pisum sativum) présente une distribution mondiale et cause des pertes économiquement importantes lorsque les conditions climatiques favorisent le développement de la maladie. La résistance génétique est reportée par un seul gène récessif désigné er. Cependant, la localisation chromosomique de er n’a pas encore eu lieu avec précision malgré les tentatives multiples. Dans la présente étude nous avons investi la localisation chromosomique du gène de résistance à l’oïdium par l’analyse de la ségrégation conjointe de 20 marqueurs génétiques dont 12 morphologiques et 8 isozymiques. Six croisements entre dix lignées de pois dont cinq sont résistantes et cinq sensibles à l’oïdium ont été utilisés. Il est constaté que la résistance dans chacun des six croisements est contrôlée par un seul gène récessif. Le test d’allélisme a confirmé que le même gène de résistance se trouve dans les cinq lignées résistantes. L’analyse des linkages suggère que er est localisé sur le chromosome 7 à une distance de 20 unités environ des marqueurs Skdh et Oh.