L’oïdium (Erysiphe polygoni DC.; syn. E. pisi DC.) du pois (Pisum sativum) présente une distribution mondiale et cause des pertes économiquement importantes lorsque les conditions climatiques favorisent le développement de la maladie. La résistance génétique est reportée par un seul gène récessif désigné er. Cependant, la localisation chromosomique de er n’a pas encore eu lieu avec précision malgré les tentatives multiples. Dans la présente étude nous avons investi la localisation chromosomique du gène de résistance à l’oïdium par l’analyse de la ségrégation conjointe de 20 marqueurs génétiques dont 12 morphologiques et 8 isozymiques. Six croisements entre dix lignées de pois dont cinq sont résistantes et cinq sensibles à l’oïdium ont été utilisés. Il est constaté que la résistance dans chacun des six croisements est contrôlée par un seul gène récessif. Le test d’allélisme a confirmé que le même gène de résistance se trouve dans les cinq lignées résistantes. L’analyse des linkages suggère que er est localisé sur le chromosome 7 à une distance de 20 unités environ des marqueurs Skdh et Oh.

Dans la présente étude, nous avons déterminé l’effet de la résistance génétique, comparée au traitement chimique, sur la prévention des pertes en rendement du pois dues aux attaques par l’oïdium causé par Erysiphe polygoni DC ; Syn. E. pisi DC. Des lignées presque iso-géniques contenant le gène ER de résistance à l’oïdium ont été comparées à des lignées homologues sensibles. La maladie qui a apparu naturellement avait causé d’importants dégâts dans les parcelles non traitées des lignées sensibles. Par contre, les lignées résistantes ainsi que les lignées sensibles traitées par le fongicide Bayleton restaient très propres. Les lignées résistantes ont produit 11 à 44 plus que les lignées sensibles non-traitées. La résistance génétique a contrôlé la maladie aussi efficacement que le traitement chimique.